【IGBT是什么】IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型功率半导体器件，结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点。它在高电压、大电流的应用中表现出色，广泛应用于电力电子领域，如变频器、电动汽车、工业电机控制等。
一、IGBT的基本特性
| 特性 | 描述 |
| 类型 | 复合型功率器件 |
| 结构 | MOSFET + BJT 的组合 |
| 控制方式 | 电压控制型 |
| 导通压降 | 较低，接近BJT |
| 开关速度 | 中等，比MOSFET慢，但比BJT快 |
| 驱动电路 | 简单，只需驱动电压 |
| 应用领域 | 电力电子、变频器、电动车、电源系统 |
二、IGBT的工作原理
IGBT的结构可以看作是一个MOSFET驱动一个BJT。当栅极（Gate）施加正电压时，MOSFET导通，使得BJT的基极获得电流，从而导通。IGBT在导通状态下具有较低的导通压降，而在关断状态下则具有较高的阻断能力，适用于高电压和大电流的场合。
三、IGBT的优势与劣势
| 优势 | 劣势 |
| 高效率 | 相对较高的开关损耗 |
| 良好的热稳定性 | 需要良好的散热设计 |
| 易于控制 | 成本相对较高 |
| 适合中高频应用 | 可能出现二次击穿问题 |
四、IGBT的应用场景
| 应用领域 | 具体应用 |
| 工业电机控制 | 变频器、伺服驱动 |
| 电力系统 | 不间断电源（UPS）、逆变器 |
| 汽车电子 | 电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV） |
| 家用电器 | 空调、洗衣机、微波炉 |
五、总结
IGBT是一种集MOSFET和BJT优点于一身的功率半导体器件，具有高效率、易于控制、适合中高频应用等特点。虽然其开关损耗略高于MOSFET，但在高电压、大电流的应用中，IGBT仍然是不可替代的关键元件。随着电力电子技术的发展，IGBT在新能源、智能电网、轨道交通等领域的作用将越来越重要。
